一、了解固態(tài)硬盤存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的原理
固態(tài)硬盤存儲(chǔ)數(shù)據(jù)是通過(guò)將電子“拉入”或“推出”浮柵層從而改變晶體管的閾值電壓來(lái)表示0和1兩種狀態(tài)進(jìn)而表示存儲(chǔ)的是0還是1
當(dāng)固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)空間沒有被全部寫過(guò)一遍數(shù)據(jù)時(shí)，新寫入的數(shù)據(jù)會(huì)直接寫入；當(dāng)固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)空間已經(jīng)被全部寫過(guò)一遍數(shù)據(jù)時(shí)，再寫入新數(shù)據(jù)就會(huì)先“緩存”后“擦除”再“寫入”，這就是寫入放大寫入放大會(huì)造成性能降低，現(xiàn)代操作系統(tǒng)都會(huì)啟用TRIM功能來(lái)改善三、固態(tài)硬盤的缺點(diǎn)和優(yōu)化方案固態(tài)硬盤的缺點(diǎn)有：損壞不可挽救、寫入壽命限制、靜置會(huì)造成數(shù)據(jù)丟失等這些缺點(diǎn)都與電子是否可以被拉入浮柵層并束縛在浮柵層有關(guān)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)是通過(guò)將電子拉入或推出浮柵層，當(dāng)浮柵層不具有束縛電子的能力的時(shí)候，電子就會(huì)游離出或電子應(yīng)環(huán)境導(dǎo)致電子數(shù)變化，這些都會(huì)導(dǎo)致晶體管的閾值電壓發(fā)生變化或不能夠表達(dá)兩種狀態(tài)，就會(huì)造成數(shù)據(jù)丟失且不可逆；隧穿層既要能束縛電子又要能讓電子穿越，電子每穿越一次對(duì)隧穿層都有不可逆的損害，最終失去束縛電子的能力即無(wú)法寫數(shù)據(jù)；靜置久了晶體管內(nèi)的電子會(huì)發(fā)生變化導(dǎo)致晶體管的閾值電壓與之前不同或無(wú)法表示兩種狀態(tài)就會(huì)數(shù)據(jù)丟失針對(duì)缺點(diǎn)的優(yōu)化方案：一般會(huì)通過(guò)調(diào)整主控算法、預(yù)留空間等技術(shù)來(lái)改善四、固態(tài)硬盤的讀寫速度和壽命指標(biāo)籠統(tǒng)的判斷固態(tài)硬盤的使用壽命可通過(guò)“TBW”參數(shù)來(lái)判斷，不同廠家因“存儲(chǔ)芯片質(zhì)量”、“寫策略”等不同，同容量的固態(tài)硬盤的BTW也可能不同：
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五、查看固態(tài)硬盤的寫入量TBW：
使用CrystalDiskInfo等軟件可以查看固態(tài)硬盤的已寫入量，比如我2019年的筆記本固態(tài)硬盤到現(xiàn)在6年的寫入量是18TB，按最低100T的總寫入量有20%，總共可用30年。但實(shí)際上的使用壽命與存儲(chǔ)芯片本身質(zhì)量有關(guān)：
CrystalDiskInfo開源項(xiàng)目：
https://github.com/hiyohiyo/CrystalDiskInfo
閱讀原文：https://mp.weixin.qq.com/s/ZMxwsrciqPpzAucYDSSyuA
該文章在 2025/9/16 17:57:45 編輯過(guò)
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